IPN60R600P7SATMA1

商品型号： IPN60R600P7SATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-SOT223

商品毛重： 0.18g

商品编号： CY069962

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 80uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 1.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,10V,6A,600mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 80uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 1.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,10V,6A,600mΩ@10V

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IPN60R600P7SATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPN60R600P7SATMA1价格参考￥7.322900。Infineon(英飞凌)IPN60R600P7SATMA1封装/规格：PG-SOT223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 80uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 1.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,10V,6A,600mΩ@10V

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