商品型号： CSD18532NQ5BT
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： VSON-CLIP-8
商品毛重： 0.10g
商品编号： CY294089
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.4mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 CSD18532NQ5B 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18532NQ5B
数量
价格
1+
￥5.1082
10+
￥5.0923
30+
￥5.0764
100+
￥5.0573
500+
￥5.0382
1000+
￥5.0191
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A | |
| 类型 | N沟道 |
CSD18532NQ5BT由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD18532NQ5BT价格参考￥5.108200。TI(德州仪器)CSD18532NQ5BT封装/规格：VSON-CLIP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.4mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 CSD18532NQ5B 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18532NQ5B
手机版：CSD18532NQ5BT
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