商品型号： HSU90N02
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.59g
商品编号： CY799887
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：82W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 类型 | N沟道 |
HSU90N02由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSU90N02价格参考￥5.183900。HUASHUO(华朔)HSU90N02封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：82W 类型：N沟道
手机版：HSU90N02
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