商品型号： HSU16N25
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.39g
商品编号： CY003765
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：4.0V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥7.205
10+
￥7.173
30+
￥7.1384
100+
￥7.1038
500+
￥7.0692
1000+
￥7.0346
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 250V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 16A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W | |
| 类型 | N沟道 |
HSU16N25由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSU16N25价格参考￥7.205000。HUASHUO(华朔)HSU16N25封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：4.0V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道
手机版：HSU16N25
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