商品型号： IXTQ82N25P
制造厂商： IXYS
封装规格： TO-3P-3
商品毛重： 7.10g
商品编号： CY082843
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：82A(Tc) 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：38mΩ @ 41A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.268
10+
￥5.2246
30+
￥5.1812
100+
￥5.1359
500+
￥5.0906
1000+
￥5.0453
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 250V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
IXTQ82N25P由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTQ82N25P价格参考￥5.268000。IXYSIXTQ82N25P封装/规格：TO-3P-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：82A(Tc) 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：38mΩ @ 41A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IXTQ82N25P
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