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ZXMP6A18DN8TA

商品型号： ZXMP6A18DN8TA

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOIC-8_150mil

商品毛重： 0.16g

商品编号： CY893586

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.7A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：双P沟道 P沟道,-60V,-4.8A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.7A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：双P沟道 P沟道,-60V,-4.8A

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ZXMP6A18DN8TA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXMP6A18DN8TA价格参考￥2.561200。DIODES(美台)ZXMP6A18DN8TA封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.7A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：双P沟道 P沟道,-60V,-4.8A

手机版：ZXMP6A18DN8TA