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DMG8601UFG-7

商品型号： DMG8601UFG-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： U-DFN3030-8

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY988408

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.05V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：920mW 类型：双N沟道(共漏)

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
类型	双N沟道(共漏)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.05V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：920mW 类型：双N沟道(共漏)

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DMG8601UFG-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMG8601UFG-7价格参考￥7.107500。DIODES(美台)DMG8601UFG-7封装/规格：U-DFN3030-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.05V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：920mW 类型：双N沟道(共漏)

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