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VBA5311

商品型号： VBA5311

制造厂商： VBsemi(台湾微碧)

封装规格： SO-8

商品毛重： 0.62g

商品编号： CY269119

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc),10.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA,2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 6.8A,10V;23mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.1W(Tc),5.2W(Tc) 类型：N沟道和P沟道 N+P沟道,30V,11A,10mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道和P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc),10.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA,2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 6.8A,10V;23mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.1W(Tc),5.2W(Tc) 类型：N沟道和P沟道 N+P沟道,30V,11A,10mΩ@10V

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VBA5311由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBA5311价格参考￥9.130200。VBsemi(台湾微碧)VBA5311封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc),10.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA,2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 6.8A,10V;23mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.1W(Tc),5.2W(Tc) 类型：N沟道和P沟道 N+P沟道,30V,11A,10mΩ@10V

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