商品型号： CRTD084NE6N
制造厂商： CRMICRO(华润微)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.47g
商品编号： CY711016
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：87A(Tc) 漏源电压（Vdss）：65V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 65V | |
| 类型 | N沟道 |
CRTD084NE6N由CRMICRO(华润微)设计生产,在芯云购商城现货销售,CRTD084NE6N价格参考￥6.149900。CRMICRO(华润微)CRTD084NE6N封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：87A(Tc) 漏源电压（Vdss）：65V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道
手机版：CRTD084NE6N
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