商品型号： LND150K1-G
制造厂商： MICROCHIP(美国微芯)
封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY913490
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：1000Ω @ 500uA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：N沟道 N沟道,500V;13mA;1000Ω@500uA,0V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 13mA(Tj) | |
| 栅源极阈值电压 | - | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 360mW | |
| 类型 | N沟道 |
LND150K1-G由MICROCHIP(美国微芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,LND150K1-G价格参考￥6.264600。MICROCHIP(美国微芯)LND150K1-G封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：1000Ω @ 500uA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：N沟道 N沟道,500V;13mA;1000Ω@500uA,0V
手机版：LND150K1-G
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