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IRF3205ZSTRLPBF

商品型号： IRF3205ZSTRLPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-263-3

商品毛重： 1.66g

商品编号： CY711742

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 66A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 66A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W(Tc) 类型：N沟道

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IRF3205ZSTRLPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF3205ZSTRLPBF价格参考￥6.235000。Infineon(英飞凌)IRF3205ZSTRLPBF封装/规格：TO-263-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 66A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W(Tc) 类型：N沟道

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