商品型号： HY1920W
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-247A-3L
商品毛重： 7.88g
商品编号： CY015073
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 200V 90A
数量
价格
1+
￥9.5167
10+
￥9.4325
30+
￥9.346
100+
￥9.2595
500+
￥9.173
1000+
￥9.0865
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 类型 | N沟道 |
HY1920W由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY1920W价格参考￥9.516700。HUAYI(华羿微)HY1920W封装/规格：TO-247A-3L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 200V 90A
手机版：HY1920W
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