商品型号： VBA5102M
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SO-8
商品毛重： 2.13g
商品编号： CY393658
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A,1.7A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA,2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：240mΩ @ 2A,10V;490mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W,1.1W 类型：N沟道和P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道和P沟道 |
VBA5102M由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBA5102M价格参考￥4.579600。VBsemi(台湾微碧)VBA5102M封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A,1.7A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA,2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：240mΩ @ 2A,10V;490mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W,1.1W 类型：N沟道和P沟道
手机版：VBA5102M
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