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14N50L-TQ2-R

商品型号： 14N50L-TQ2-R

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 1.96g

商品编号： CY718599

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,14A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	500V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,14A

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14N50L-TQ2-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,14N50L-TQ2-R价格参考￥6.279800。3PEAK14N50L-TQ2-R封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,14A

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