商品型号： HSCB3010
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： DFN2x2-6L
商品毛重： 0.02g
商品编号： CY435300
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A | |
| 类型 | N沟道 |
HSCB3010由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSCB3010价格参考￥5.095100。HUASHUO(华朔)HSCB3010封装/规格：DFN2x2-6L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W 类型：N沟道
手机版：HSCB3010
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