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HSW6811

商品型号: HSW6811

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: SOT23-6

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY902951

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:双P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥21.65

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 2A
最大功率耗散(Ta=25°C) 1W
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:双P沟道

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HSW6811由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSW6811价格参考¥2.165400。HUASHUO(华朔)HSW6811封装/规格:SOT23-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:双P沟道

手机版:HSW6811