商品型号： HSU150N03
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.37g
商品编号： CY406658
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 150A | |
| 类型 | N沟道 |
HSU150N03由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSU150N03价格参考￥3.575400。HUASHUO(华朔)HSU150N03封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：N沟道
手机版：HSU150N03
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