商品型号： CEB20A03
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TO-263
商品毛重： 1.68g
商品编号： CY806740
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：197A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：139W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.3684
10+
￥5.3083
30+
￥5.2482
100+
￥5.1881
500+
￥5.1254
1000+
￥5.0627
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
CEB20A03由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEB20A03价格参考￥5.368400。CET(华瑞)CEB20A03封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：197A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：139W(Tc) 类型：N沟道
手机版：CEB20A03
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