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NTMFD4901NFT1G

商品型号: NTMFD4901NFT1G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: DFN-8

商品毛重: 0.17g

商品编号: CY178975

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.3A,17.9A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:双N沟道,肖特基

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.3A,17.9A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:双N沟道,肖特基

芯云购电子元器件商城提供NTMFD4901NFT1G引脚图查看,NTMFD4901NFT1G中文资料pdf下载,NTMFD4901NFT1G使用说明书查看,NTMFD4901NFT1G参数pdf下载, NTMFD4901NFT1G工作原理,NTMFD4901NFT1G驱动电路图,NTMFD4901NFT1G数据手册,NTMFD4901NFT1G如何测量, NTMFD4901NFT1G接线图查看

NTMFD4901NFT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTMFD4901NFT1G价格参考¥2.560200。ON(安森美)NTMFD4901NFT1G封装/规格:DFN-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.3A,17.9A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:双N沟道,肖特基

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