商品型号: NTMFD4901NFT1G
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: DFN-8
商品毛重: 0.17g
商品编号: CY178975
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.3A,17.9A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:双N沟道,肖特基
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) |
NTMFD4901NFT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTMFD4901NFT1G价格参考¥2.560200。ON(安森美)NTMFD4901NFT1G封装/规格:DFN-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.3A,17.9A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:双N沟道,肖特基
手机版:NTMFD4901NFT1G
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