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NTMFD4901NFT1G

商品型号： NTMFD4901NFT1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： DFN-8

商品毛重： 0.17g

商品编号： CY178975

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.3A,17.9A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 类型：双N沟道,肖特基

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.3A,17.9A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 类型：双N沟道,肖特基

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NTMFD4901NFT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTMFD4901NFT1G价格参考￥2.560200。ON(安森美)NTMFD4901NFT1G封装/规格：DFN-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.3A,17.9A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 类型：双N沟道,肖特基

手机版：NTMFD4901NFT1G