商品型号： WSC5N20A
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.10g
商品编号： CY292137
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 30A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W 类型：N沟道 N沟道.200V.5A.600mΩ
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价格
1+
￥1.1274
10+
￥1.1084
30+
￥1.0873
100+
￥1.0662
500+
￥1.0451
1000+
￥1.024
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
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品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
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封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A | |
| 类型 | N沟道 |
WSC5N20A由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSC5N20A价格参考￥1.127400。WINSOK微硕WSC5N20A封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 30A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W 类型：N沟道 N沟道.200V.5A.600mΩ
手机版：WSC5N20A
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