商品型号： WSD30L40DN
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： DFN 3x3-8
商品毛重： 0.13g
商品编号： CY094358
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.9W(Tc) 类型：P沟道 P沟道.-30V.-40A.11mΩ
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
WSD30L40DN由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD30L40DN价格参考￥7.180200。WINSOK微硕WSD30L40DN封装/规格：DFN 3x3-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.9W(Tc) 类型：P沟道 P沟道.-30V.-40A.11mΩ
手机版：WSD30L40DN
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