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IRLML0060

商品型号: IRLML0060

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: SOT-23L

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY550718

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥4.2044

总   价: ¥21.02

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道

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IRLML0060由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRLML0060价格参考¥4.204400。HUASHUO(华朔)IRLML0060封装/规格:SOT-23L,连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道

手机版:IRLML0060