商品型号： HY5208W
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-247A-3L
商品毛重： 7.77g
商品编号： CY246982
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：320A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 160A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：416W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
数量
价格
1+
￥6.2541
10+
￥6.214
30+
￥6.1712
100+
￥6.1284
500+
￥6.0856
1000+
￥6.0428
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | |
| 类型 | N沟道 |
HY5208W由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY5208W价格参考￥6.254100。HUAYI(华羿微)HY5208W封装/规格：TO-247A-3L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：320A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 160A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：416W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
手机版：HY5208W
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