商品型号： G66
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： DFN 2x2-6L
商品毛重： 0.10g
商品编号： CY543222
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：-16V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：P沟道 原装台湾版苹果数据线用
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
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G66由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G66价格参考￥8.376500。GOFORD(谷峰)G66封装/规格：DFN 2x2-6L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：-16V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：P沟道 原装台湾版苹果数据线用
手机版：G66
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