商品型号： VBE1206N
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO252
商品毛重： 2.32g
商品编号： CY864855
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：N沟道
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货7816(2500起订)
数 量: X ￥3.1667
总 价: ￥3.17
包 装:「圆盘 / 2500」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥3.1667
10+
￥3.1405
30+
￥3.1124
100+
￥3.0843
500+
￥3.0562
1000+
￥3.0281
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 类型 | N沟道 |
VBE1206N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBE1206N价格参考￥3.166700。VBsemi(台湾微碧)VBE1206N封装/规格：TO252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：N沟道
手机版：VBE1206N
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监