商品型号: IPP65R310CFD
制造厂商: Infineon(英飞凌)
封装规格: TO-220(TO-220-3)
商品毛重: 2.64g
商品编号: CY116220
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.4A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 440uA 漏源导通电阻:310mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104.2W 类型:N沟道 N沟道,650V,11.4A,310mΩ@10V
数量
价格
1+
¥4.2314
10+
¥4.1934
30+
¥4.1554
100+
¥4.1174
500+
¥4.0794
1000+
¥4.0414
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 |
IPP65R310CFD由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP65R310CFD价格参考¥4.231400。Infineon(英飞凌)IPP65R310CFD封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.4A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 440uA 漏源导通电阻:310mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104.2W 类型:N沟道 N沟道,650V,11.4A,310mΩ@10V
手机版:IPP65R310CFD
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