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KNP9130A

商品型号： KNP9130A

制造厂商： KIA 半导体

封装规格： TO-220

商品毛重： 2.83g

商品编号： CY127974

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：300V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	300V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：300V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道

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KNP9130A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNP9130A价格参考￥8.434600。KIA 半导体KNP9130A封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：300V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道

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