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VN2222LL-G

商品型号: VN2222LL-G

制造厂商: MICROCHIP(美国微芯)

封装规格: TO-92(TO-92-3)

商品毛重: 0.24g

商品编号: CY485864

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA(Tj) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA(Tj) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W(Tc) 类型:N沟道

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VN2222LL-G由MICROCHIP(美国微芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,VN2222LL-G价格参考¥2.531800。MICROCHIP(美国微芯)VN2222LL-G封装/规格:TO-92(TO-92-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA(Tj) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W(Tc) 类型:N沟道

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