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DMG1029SVQ-7

商品型号： DMG1029SVQ-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOT-563

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY713444

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA,360mA 漏源电压（Vdss）：60V,-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.7Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：450mW 类型：N沟道和P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
最大功率耗散（Ta=25°C）	450mW
类型	N沟道和P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA,360mA 漏源电压（Vdss）：60V,-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.7Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：450mW 类型：N沟道和P沟道

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DMG1029SVQ-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMG1029SVQ-7价格参考￥3.132800。DIODES(美台)DMG1029SVQ-7封装/规格：SOT-563,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA,360mA 漏源电压（Vdss）：60V,-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.7Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：450mW 类型：N沟道和P沟道

手机版：DMG1029SVQ-7