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IRF7946TRPBF

商品型号： IRF7946TRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： DIRECTFET

商品毛重： 0.30g

商品编号： CY313621

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.9V @ 150uA 漏源导通电阻：1.4mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W 类型：N沟道 N沟道,40V,90A,1.4mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.9V @ 150uA 漏源导通电阻：1.4mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W 类型：N沟道 N沟道,40V,90A,1.4mΩ@10V

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IRF7946TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF7946TRPBF价格参考￥4.278400。Infineon(英飞凌)IRF7946TRPBF封装/规格：DIRECTFET,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.9V @ 150uA 漏源导通电阻：1.4mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W 类型：N沟道 N沟道,40V,90A,1.4mΩ@10V

手机版：IRF7946TRPBF