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NCV8403ADTRKG

商品型号： NCV8403ADTRKG

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.44g

商品编号： CY782453

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tj) 漏源电压（Vdss）：42V 栅源极阈值电压：2.2V @ 1.2mA 漏源导通电阻：68mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N 沟道,42V,14A,53mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
最大功率耗散（Ta=25°C）	2.5W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tj) 漏源电压（Vdss）：42V 栅源极阈值电压：2.2V @ 1.2mA 漏源导通电阻：68mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N 沟道,42V,14A,53mΩ@10V

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NCV8403ADTRKG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NCV8403ADTRKG价格参考￥7.062100。ON(安森美)NCV8403ADTRKG封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tj) 漏源电压（Vdss）：42V 栅源极阈值电压：2.2V @ 1.2mA 漏源导通电阻：68mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N 沟道,42V,14A,53mΩ@10V

手机版：NCV8403ADTRKG