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NCV8403ADTRKG

商品型号: NCV8403ADTRKG

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: TO-252-2(DPAK)

商品毛重: 0.44g

商品编号: CY782453

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tj) 漏源电压(Vdss):42V 栅源极阈值电压:2.2V @ 1.2mA 漏源导通电阻:68mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N 沟道,42V,14A,53mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.5W
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tj) 漏源电压(Vdss):42V 栅源极阈值电压:2.2V @ 1.2mA 漏源导通电阻:68mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N 沟道,42V,14A,53mΩ@10V

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NCV8403ADTRKG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NCV8403ADTRKG价格参考¥7.062100。ON(安森美)NCV8403ADTRKG封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tj) 漏源电压(Vdss):42V 栅源极阈值电压:2.2V @ 1.2mA 漏源导通电阻:68mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N 沟道,42V,14A,53mΩ@10V

手机版:NCV8403ADTRKG