MICRO 3/MOSFET, 20V, 1.2A, 250 MOHM, 2.6 NC QG, LOGIC LEVEL, SOT-23, HALOGE

商品型号： IRLML2402GTRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： SOT-23

商品毛重： 0.04g

商品编号： CY391779

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：700mV @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 930mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：540mW 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	1.2A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：700mV @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 930mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：540mW 类型：N沟道

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IRLML2402GTRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRLML2402GTRPBF价格参考￥5.407800。Infineon(英飞凌)IRLML2402GTRPBF封装/规格：SOT-23,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：700mV @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 930mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：540mW 类型：N沟道

手机版：IRLML2402GTRPBF