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CSD18501Q5A

商品型号: CSD18501Q5A

制造厂商: TI(德州仪器)

封装规格: VSONP-8

商品毛重: 0.12g

商品编号: CY180452

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):22A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:3.2mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 CSD18501Q5A 40V、N 沟道 NexFET MOSFET?、单路 SON5x6、3.2mΩ

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 22A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):22A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:3.2mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 CSD18501Q5A 40V、N 沟道 NexFET MOSFET?、单路 SON5x6、3.2mΩ

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CSD18501Q5A由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD18501Q5A价格参考¥2.490200。TI(德州仪器)CSD18501Q5A封装/规格:VSONP-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):22A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:3.2mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 CSD18501Q5A 40V、N 沟道 NexFET MOSFET?、单路 SON5x6、3.2mΩ

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