商品型号： VBQA1102N
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： QFN8(5X6)
商品毛重： 1.88g
商品编号： CY983450
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 30A | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
VBQA1102N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBQA1102N价格参考￥6.038100。VBsemi(台湾微碧)VBQA1102N封装/规格：QFN8(5X6),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：N沟道
手机版：VBQA1102N
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