商品型号： AP045N03M
制造厂商： ALLPOWER(铨力)
封装规格： DFN3*3
商品毛重： 0.05g
商品编号： CY650200
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道 N沟道,30V,75A,5mΩ@10V
数量
价格
1+
￥4.18
10+
￥4.1504
30+
￥4.1208
100+
￥4.0912
500+
￥4.0616
1000+
￥4.0308
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
AP045N03M由ALLPOWER(铨力)设计生产,在芯云购商城现货销售,AP045N03M价格参考￥4.180000。ALLPOWER(铨力)AP045N03M封装/规格：DFN3*3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道 N沟道,30V,75A,5mΩ@10V
手机版：AP045N03M
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