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VBK4223N

商品型号: VBK4223N

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SC70-6

商品毛重: 0.11g

商品编号: CY697886

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:155mΩ @ 1.8A,4.5V;235mΩ @ 1.5A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:双P沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 1.8A
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:155mΩ @ 1.8A,4.5V;235mΩ @ 1.5A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:双P沟道

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VBK4223N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBK4223N价格参考¥1.235500。VBsemi(台湾微碧)VBK4223N封装/规格:SC70-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:155mΩ @ 1.8A,4.5V;235mΩ @ 1.5A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:双P沟道

手机版:VBK4223N