商品型号： G1NP02ELL
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： SOT-23-6
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY765508
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.36A,1.15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：370mΩ @ 650mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.12W(Tc) 类型：N沟道P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 类型 | N沟道P沟道 |
G1NP02ELL由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G1NP02ELL价格参考￥5.510200。GOFORD(谷峰)G1NP02ELL封装/规格：SOT-23-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.36A,1.15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：370mΩ @ 650mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.12W(Tc) 类型：N沟道P沟道
手机版：G1NP02ELL
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