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G16P03S

商品型号: G16P03S

制造厂商: GOFORD(谷峰)

封装规格: SOP-8

商品毛重: 0.13g

商品编号: CY182315

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W(Tc) 类型:P沟道

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总   价: ¥9.57

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W(Tc) 类型:P沟道

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G16P03S由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G16P03S价格参考¥9.571800。GOFORD(谷峰)G16P03S封装/规格:SOP-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W(Tc) 类型:P沟道

手机版:G16P03S