商品型号： HSBF3202
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： DFN3x3A
商品毛重： 0.05g
商品编号： CY854173
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20.8W 类型：双N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | 双N沟道 |
HSBF3202由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSBF3202价格参考￥2.014200。HUASHUO(华朔)HSBF3202封装/规格：DFN3x3A,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20.8W 类型：双N沟道
手机版：HSBF3202
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