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IRF840STRPBF

商品型号： IRF840STRLPBF

制造厂商： VISHAY(威世)

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 2.00g

商品编号： CY178518

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 N沟道,500V,8A,850mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	8A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 N沟道,500V,8A,850mΩ@10V

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IRF840STRLPBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF840STRLPBF价格参考￥4.550600。VISHAY(威世)IRF840STRLPBF封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 N沟道,500V,8A,850mΩ@10V

手机版：IRF840STRLPBF