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FDP027N08B-F102

商品型号： FDP027N08B-F102

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-220-3

商品毛重： 2.90g

商品编号： CY005107

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：223A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：246W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	80V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：223A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：246W 类型：N沟道

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手机版：FDP027N08B-F102