BSC050N03LSGATMA1

商品型号： BSC050N03LSGATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TDSON-8

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY476049

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,30V,18A,5mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
最大功率耗散（Ta=25°C）	2.5W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,30V,18A,5mΩ@10V

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BSC050N03LSGATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC050N03LSGATMA1价格参考￥4.012800。Infineon(英飞凌)BSC050N03LSGATMA1封装/规格：PG-TDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,30V,18A,5mΩ@10V

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