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N沟道MOS管 200V 88A

商品型号： IPP110N20N3 G

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 2.75g

商品编号： CY523718

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：88A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 270uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 88A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	200V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：88A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 270uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 88A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP110N20N3 G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP110N20N3 G价格参考￥1.034400。Infineon(英飞凌)IPP110N20N3 G封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：88A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 270uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 88A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

手机版：IPP110N20N3 G