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N沟道MOS管  200V 88A
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N沟道MOS管 200V 88A

商品型号: IPP110N20N3 G

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: TO-220(TO-220-3)

商品毛重: 2.75g

商品编号: CY523718

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):88A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 270uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 88A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道 MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 200V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):88A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 270uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 88A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道 MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP110N20N3 G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP110N20N3 G价格参考¥1.034400。Infineon(英飞凌)IPP110N20N3 G封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):88A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 270uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 88A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道 MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

手机版:IPP110N20N3 G