商品型号： KIA840SB
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-263-2
商品毛重： 2.44g
商品编号： CY303840
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：N沟道 环保
数量
价格
1+
￥4.3634
10+
￥4.3033
30+
￥4.2432
100+
￥4.1831
500+
￥4.123
1000+
￥4.0629
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 100W | |
| 类型 | N沟道 |
KIA840SB由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA840SB价格参考￥4.363400。KIA 半导体KIA840SB封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：N沟道 环保
手机版：KIA840SB
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