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HY5110W

商品型号： HY5110W

制造厂商： HUAYI(华羿微)

封装规格： TO-247(AC)

商品毛重： 7.83g

商品编号： CY978910

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：316A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 158A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W 类型：N沟道 N沟道场效应管 100V 316A N-MOSFET 导通电阻2.1mR TO-247-3

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：316A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 158A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W 类型：N沟道 N沟道场效应管 100V 316A N-MOSFET 导通电阻2.1mR TO-247-3

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HY5110W由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY5110W价格参考￥1.446000。HUAYI(华羿微)HY5110W封装/规格：TO-247(AC),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：316A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 158A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W 类型：N沟道 N沟道场效应管 100V 316A N-MOSFET 导通电阻2.1mR TO-247-3

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