商品型号： HSBG2103
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： DFN1006
商品毛重： 0.01g
商品编号： CY999937
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：0.65A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.0V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 0.65A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.15W 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 0.15W | |
| 类型 | P沟道 |
HSBG2103由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSBG2103价格参考￥5.089000。HUASHUO(华朔)HSBG2103封装/规格：DFN1006,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：0.65A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.0V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 0.65A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.15W 类型：P沟道
手机版：HSBG2103
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