商品型号： VBE165R04
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO252
商品毛重： 2.44g
商品编号： CY327050
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1Ω @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
VBE165R04由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBE165R04价格参考￥6.234500。VBsemi(台湾微碧)VBE165R04封装/规格：TO252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1Ω @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道
手机版：VBE165R04
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