商品型号： CSD19533Q5A
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： VSONP-8
商品毛重： 0.17g
商品编号： CY570799
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商品描述： CSD19533Q5A 21 VSONP-8
数量
价格
10+
￥10
100+
￥8
500+
￥6.5
1000+
￥6
2500+
￥5.65
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-220
￥8.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) |
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.4V @ 250uA 漏源导通电阻：9.4mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道 CSD19533Q5A 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A
CSD19533Q5A由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD19533Q5A价格参考￥10.000000。TI(德州仪器)CSD19533Q5A封装/规格：VSONP-8,CSD19533Q5A 21 VSONP-8
手机版：CSD19533Q5A
20万现货SKU
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