商品型号： HSF10N65
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.32g
商品编号： CY635041
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥6.5106
10+
￥6.4285
30+
￥6.3464
100+
￥6.2598
500+
￥6.1732
1000+
￥6.0866
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A | |
| 类型 | N沟道 |
HSF10N65由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSF10N65价格参考￥6.510600。HUASHUO(华朔)HSF10N65封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道
手机版：HSF10N65
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监