商品型号： KIA4N60HI
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-262
商品毛重： 2.31g
商品编号： CY167811
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：93W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V，4A
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
KIA4N60HI由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA4N60HI价格参考￥7.496600。KIA 半导体KIA4N60HI封装/规格：TO-262,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：93W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V，4A
手机版：KIA4N60HI
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